[发明专利]用于制备高k介质层的方法在审
| 申请号： | 201510149025.2 | 申请日： | 2015-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN104701240A | 公开（公告）日： | 2015-06-10 |
| 发明（设计）人： | 肖天金 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种用于制备高k介质层的方法，包括：第一步骤，用于对半导体硅衬底进行前清洗；第二步骤，用于执行SiO2或SiON层生长；第三步骤，用于沉积高k介质层；第四步骤，用于对高k介质层进行退火处理，其中将O2、HCl和N2的混合气作为退火气体。在第四步骤的退火处理中，工艺温度为400～800℃，N2流量为10～50Slm，O2流量为1～10Slm，HCl流量为0.02～0.5Slm，工艺时间为0.2～5min。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制备 介质 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制备高k介质层的方法，其特征在于包括：第一步骤，用于对半导体硅衬底进行前清洗；第二步骤，用于执行SiO2或SiON层生长；第三步骤，用于沉积高k介质层；第四步骤，用于对高k介质层进行退火处理，其中将O2、HCl和N2的混合气作为退火气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
