[发明专利]掩膜式只读存储阵列、其制作方法以及存储器的制作方法

摘要

一种掩膜式只读存储阵列、其制作方法以及掩膜式只读存储器的制作方法。对于掩膜式只读存储阵列，采用肖特基二极管作为存储单元，若干存储单元中，部分上连接有导电插塞，部分个上不连接有导电插塞。上述存储阵列的读取原理为：对于连接有导电插塞的肖特基二极管存储单元，可以通过该导电插塞对该肖特基二极管施加正向偏压，形成回路，使其导通；对于不连接有导电插塞的肖特基二极管，无法实现对该存储单元施压，无法形成回路，因而也无法实现导通；综上，从结构上实现了“0”与“1”两写入状态的区分。上述肖特基二极管一方面导通电压较小，因而读取过程能耗较小，另一方面导通依靠多数载流子，因而读取过程运行速度较快。

主权项

1.一种掩膜式只读存储阵列，其特征在于，包括：半导体衬底、位于所述半导体衬底上的反型重掺杂层以及位于所述反型重掺杂层上的反型轻掺杂层，所述反型重掺杂层以及反型轻掺杂层的导电类型与所述半导体衬底的导电类型不同；沿行方向排列的若干深沟槽，所述深沟槽形成于所述反型重掺杂层以及反型轻掺杂层内并伸入所述半导体衬底，由深沟槽隔绝的反型重掺杂层以及反型轻掺杂层电绝缘；沿列方向排列的若干浅沟槽，所述浅沟槽至少形成于所述反型轻掺杂层内，所述浅沟槽与深沟槽垂直相交，所述深沟槽与浅沟槽内填充有绝缘材质；相邻深沟槽与相邻浅沟槽之间限定一反型轻掺杂层分立区域，所述反型轻掺杂层分立区域上具有金属硅化物，所述反型轻掺杂层分立区域及其上的金属硅化物形成一肖特基二极管存储单元；若干个肖特基二极管存储单元中，部分个上连接有导电插塞，部分个上不连接有导电插塞；存储单元选中时，选中列电压通过所述存储单元上的导电插塞施加；由深沟槽隔绝的各行反型轻掺杂层内具有电极区，所述电极区通过对应行的反型重掺杂层对该行的反型轻掺杂层施加选中行电压。