[发明专利]制作增强UTBB FDSOI器件的方法和结构有效
| 申请号： | 201510149308.7 | 申请日： | 2015-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN106158878B | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 柳青;T·斯科特尼基 | 申请（专利权）人： | 意法半导体公司;意法半导体（克洛尔2）公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;吕世磊 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开涉及制作增强UTBB FDSOI器件的方法和结构。一种集成电路裸片包括具有第一半导体材料层、在第一半导体材料层上的电介质材料层以及在电介质材料层上的第二半导体材料层的衬底。晶体管的延伸沟道区域被定位在第二半导体材料层中，与第二半导体材料层的顶表面、侧表面以及潜在地底表面的部分相互作用。栅极电介质被定位在第二半导体材料层的顶表面上和暴露的侧表面上。栅极电极被定位在第二半导体材料层的顶表面和暴露的侧表面上的栅极电介质上。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 增强 utbb fdsoi 器件 方法 结构 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路裸片，包括：第一半导体材料层，包括第一凹陷和第二凹陷；在所述第一凹陷和所述第二凹陷中的隔离层；第一电介质材料层，被定位在所述第一半导体材料层上，所述隔离层的顶表面低于所述第一电介质材料层的顶表面；第二半导体材料层，被定位在所述第一电介质材料层上；以及晶体管，包括：沟道区域，在所述第二半导体材料层中；栅极电介质，被定位在所述第二半导体材料层的顶表面和侧壁上；以及栅极电极，被定位在所述第二半导体材料层的所述顶表面和所述侧壁上的所述栅极电介质上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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