[发明专利]一种压阻式MEMS压力传感器及其制备方法

摘要

本发明涉及一种压阻式MEMS压力传感器及其制备方法，传感器包括位置由下至上依次设置的，单晶硅片基底、第一绝缘层、单晶硅片压力膜、第二绝缘层、图形化金属引线、第三绝缘层；单晶硅片基底的上表面开设有凹槽，压阻条由单晶硅片压力膜在上表面通过淡硼掺杂形成并沿周向两两对称设置四个，四个压阻条均为P型并分布在凹槽对应区域的边缘内侧，图形化金属引线通过电学接触孔使四个压阻条实现首尾相连，第三绝缘层上开设有四个用于图形化金属引线与外部进行打线的电极孔。本发明具有结构简单、成本低廉、性能稳定的优点，其制备方法工艺简单、成品率高，并可实现批量化生产。

主权项

一种压阻式MEMS压力传感器，包括单晶硅片基底(1)、单晶硅片压力膜(2)、压阻条(3)，其特征在于：还包括图形化金属引线(4)、第一绝缘层(5)、第二绝缘层(6)、第三绝缘层(7)，单晶硅片基底(1)、第一绝缘层(5)、单晶硅片压力膜(2)、第二绝缘层(6)、图形化金属引线(4)、第三绝缘层(7)的位置由下至上依次设置；单晶硅片基底(1)的上表面开设有凹槽(101)，第一绝缘层(5)上开设有与凹槽(101)的形状相同且位置对应的通孔；压阻条(3)由单晶硅片压力膜(2)在上表面通过淡硼掺杂形成并沿周向两两对称设置四个，四个压阻条(3)均为P型并分布在凹槽(101)对应区域的边缘内侧，第二绝缘层(6)上与每个压阻条(3)两端对应的位置均开设有电学接触孔，图形化金属引线(4)通过电学接触孔使四个压阻条(3)实现首尾相连；第三绝缘层(7)上开设有四个用于图形化金属引线(4)与外部进行打线的电极孔，所述凹槽(101)的形状为矩形或圆形，四个压阻条(3)中的两个上下对称分布在凹槽(101)对应区域的上下边缘内侧并沿应力方向设置，另两个压阻条(3)左右对称分布在凹槽(101)对应区域的左右边缘内侧并沿垂直应力方向设置，所述每个压阻条(3)均设为并排分布的四段并通过图形化金属引线(4)连接为一个整体，所述单晶硅片压力膜(2)的上表面还设有通过浓磷掺杂形成的隔离带(8)，每个压阻条(3)中的四段均通过隔离带(8)彼此隔开。