[发明专利]一种柔性非晶硅薄膜太阳电池的制备方法在审
| 申请号： | 201510149642.2 | 申请日： | 2015-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN106024998A | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 黄芳 | 申请（专利权）人： | 无锡中铂电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/20 | 分类号： | H01L31/20 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 许益民 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提出一种柔性非晶硅薄膜太阳电池的制备方法，其包括如下步骤：将成卷带磁性不锈钢带装入清洗机中，采用卷对卷方式传送并对钢带两个表面同时进行清洗、干燥；钢带表面磁控溅射沉积金属和金属氧化层；采用等离子体化学气相沉积法沉积非晶硅层形成叠层太阳电池结构；在电池顶部沉积铟锡氧化物；以及在电池的光入射面布置栅线，然后进行电极接合、电池切割和电池互联，从而构成薄膜电池组件。本发明的柔性非晶硅薄膜太阳电池的制备方法采用卷对卷工艺技术来制备的大面积柔性衬底非晶硅薄膜太阳电池，非晶硅薄膜的沉积速度快，大面积薄膜生长均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 柔性 非晶硅 薄膜 太阳电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种柔性非晶硅薄膜太阳电池的制备方法，其特征在于，其包括如下步骤：S1、将成卷带磁性不锈钢带装入清洗机中，采用卷对卷方式传送并对钢带两个表面同时进行清洗、干燥；S2、在钢带表面磁控溅射沉积金属和金属氧化层；S3、采用等离子体化学气相沉积法沉积非晶硅层形成叠层太阳电池结构；S4、在电池顶部沉积铟锡氧化物；以及S5、在电池的光入射面布置栅线，然后进行电极接合、电池切割和电池互联，从而构成薄膜电池组件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
