[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供了一种半导体装置。该半导体装置包括第一金属氧化物半导体结构、第二金属氧化物半导体结构以及双极结结构。第一金属氧化物半导体结构包括第一漏极区、第一通道区以及第一源极区，依次沿第一方向排列。第一金属氧化物半导体结构还包括漏极电极，形成于第一漏极区之上且电性耦接至第一漏极区以及本体区，形成于第一通道区之下且电性耦接至第一通道区。第二金属氧化物半导体结构包括第二漏极区、第二通道区以及第二源极区，依次沿第二方向排列，第二方向不同于第一方向。双极结结构包括射极区、基极区以及集极区。第一源极区与第二漏极区在基板中共享第一共同半导体区。漏极电极与基极区在基板中共享第二共同半导体区。本体区与集极区在基板中共享第三共同半导体区。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：一基板；一第一金属氧化物半导体结构，形成于该基板中，该第一金属氧化物半导体结构包括：一第一漏极区、一第一通道区以及一第一源极区，依次沿一第一方向排列；一漏极电极，形成于该第一漏极区之上且电性耦接至该第一漏极区；以及一本体区，形成于该第一通道区之下且电性耦接至该第一通道区；一第二金属氧化物半导体结构，形成于该基板中，该第二金属氧化物半导体体结构包括一第二漏极区、一第二通道区以及一第二源极区，依次沿一第二方向排列，该第二方向不同于该第一方向；以及一双极结结构，形成于该基板中，该双极结结构包括一射极区、一基极区以及一集极区，其中：该第一源极区与该第二漏极区在该基板中共享一第一共同半导体区，该漏极电极与该基极区在该基板中共享一第二共同半导体区，及该本体区与该集极区在该基板中共享一第三共同半导体区。