[发明专利]半导体器件和集成电路有效
| 申请号： | 201510150408.1 | 申请日： | 2015-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN104979401B | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | A.迈泽 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 蒋骏;胡莉莉 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件和集成电路。一种半导体器件在包括主表面的半导体衬底中包括晶体管。该晶体管包括源极区、漏极区、主体区和相邻于主体区的栅电极结构。源极区和漏极区沿着第一方向布置，第一方向平行于主表面。主体区被布置在源极区和漏极区之间。主体区包括在主表面处的上主体区和远离主表面的下主体区，下主体区的第一宽度小于上主体区的第二宽度。在与第一方向正交的方向上测量第一宽度和第二宽度。 1 | ||
| 搜索关键词： | 主表面 主体区 半导体器件 漏极区 源极区 上主体 下主体 晶体管 集成电路 栅电极结构 方向平行 方向正交 衬底 半导体 测量 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，在包括主表面的半导体衬底中包括晶体管，所述晶体管包括：源极区；漏极区；主体区，和相邻于所述主体区的栅电极结构，以及在所述主表面中的栅极沟槽，所述栅极沟槽沿着第一方向延伸，所述第一方向平行于所述主表面，所述主体区被布置在所述沟槽中的相邻沟槽之间，其中所述源极区和所述漏极区沿着所述第一方向布置，其中所述主体区被布置在所述源极区和所述漏极区之间，其中所述主体区包括在所述主表面处的上主体区和远离所述主表面的下主体区，所述下主体区的第一宽度小于所述上主体区的第二宽度，在与所述第一方向正交的方向上测量所述第一宽度和所述第二宽度，其中所述栅极沟槽中的每个包括在所述主表面处的上沟槽部分和远离所述主表面的下沟槽部分，所述栅极沟槽中的每个在所述上沟槽部分处的第二宽度小于所述栅极沟槽中的每个在所述下沟槽部分处的第一宽度。
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