[发明专利]适用于LCD驱动电路的低功耗四级运算放大器有效

专利信息
申请号: 201510150514.X 申请日: 2015-03-31
公开(公告)号: CN104779929B 公开(公告)日: 2017-07-28
发明(设计)人: 肖夏;张庚宇 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: H03F3/45 分类号: H03F3/45;H03F1/34
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所12201 代理人: 刘国威
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及大规模集成电路,为提供一种应用于低压低功耗的四级运算放大器。该四级运算放大器电路可以在低的功耗(μW)条件下实现驱动大负载电容(数百pF),并具有更低的功耗和更好的压摆率。为此,本发明采取的技术方案是,适用于LCD驱动电路的低功耗四级运算放大器,由四个增益放大级、两路前馈回路级和一个有源反馈回路级组成;四个增益放大级分别是跨导增益输入级、第二至第三高增益级、第四推挽输出级;两个前馈回路级分别是正向跨导增益级和负向跨导增益级;一个有源反馈回路级由电容和正向跨导增益级组成。本发明主要应用于大规模集成电路的设计制造。
搜索关键词: 适用于 lcd 驱动 电路 功耗 运算放大器
【主权项】:
一种适用于LCD驱动电路的低功耗四级运算放大器,其特征是,由四个增益放大级、两路前馈回路级和一个有源反馈回路级组成;四个增益放大级分别是:跨导增益输入级、第二至第三高增益级、第四推挽输出级;两个前馈回路级分别是:正向跨导增益级和负向跨导增益级;一个有源反馈回路级由电容和正向跨导增益级组成;输入的信号经过跨导增益输入级gm1、第二至第三增益级、最后经过第四推挽输出级输出到VOUT;同时输入的信号经过正向跨导增益级到达第三增益级的输出端;在第二增益级输出端信号分为两路:一路经过负向跨导增益级到达第四推挽输出级的输出端,另一路直接进入第三增益级;在放大器输出端的信号经过有源反馈回路级由电容Ca和正向跨导增益级到达输入端;放大器具体结构为:由第一至第十五PMOS晶体管M10、M11、M12、M17、M18、M20、M23、M30、M33、M41、M411、M412、M50、M51、M52以及第一至第十二NMOS晶体管M13、M14、M15、M16、M21、M22、M31、M32、M40、M413、M53、M54共27个MOS晶体管、一个电容即补偿电容Ca构成;其中:第一、第四至第十五PMOS晶体管M10、M17、M18、M20、M23、M30、M33、M41、M411、M412、M50的源极共同接供电电源VDD;除了第二、第三、第十四至第十五PMOS晶体管M11、M12、M51、M52的衬底端接源极以外,第一、第四至第十三PMOS晶体管M10、M17、M18、M20、M23、M30、M33、M41、M411、M412、M50的衬底端接供电电源VDD;第一、第二、第五至第十二NMOS晶体管M13、M14、M21、M22、M31、M32、M40、M413、M53、M54的源极共同接地GND;第一至第十二M13、M14、M15、M16、M21、M22、M31、M32、M40、M413、M53、M54的衬底端接地GND;第一PMOS晶体管M10的栅极接第一偏置电压Vb1、漏极接第二至第三PMOS晶体管M11、M12的源极;第一至第二PMOS晶体管M11、M12的栅极分别接输入电压Vin‑和Vin+端;第一PMOS晶体管M11、第一NMOS晶体管M13的漏极共同接第三NMOS晶体管M15的源极,第三PMOS晶体管M12、第二NMOS晶体管M14的漏极共同接M16的源极;第一至第二NMOS晶体管M13、M14的栅极共同接第二偏置电压Vb2,第三至第四NMOS晶体管M15、M16的栅极共同接第三偏置电压Vb3;第六PMOS晶体管M20的栅极接第四NMOS晶体管M16、第五PMOS晶体管M18的漏极;第四至第五PMOS晶体管M17、M18的栅极共同接第四PMOS晶体管M17、第三NMOS晶体管M15的漏极;第四NMOS晶体管M16的源极接补偿电容Ca的左端,补偿电容Ca的右端接输出端VOUT;第五NMOS晶体管M21、第六NMOS晶体管M22的栅极共同接第六PMOS晶体管M20、第五NMOS晶体管M21的漏极;第七PMOS晶体管M23、第六NMOS晶体管M22的漏极共同接第八PMOS晶体管M30的栅极;第七PMOS晶体管M23的栅极接第四偏置电压Vb4;第七NMOS晶体管M31、第八NMOS晶体管M32的栅极共同接第八PMOS晶体管M30、第七NMOS晶体管M31的漏极;第九PMOS晶体管M33、第八NMOS晶体管M32的漏极共同接第九PMOS晶体管M40的栅极;第九PMOS晶体管M33的栅极接第五偏置电压Vb5;第九NMOS晶体管M40、第十PMOS晶体管M41的漏极、第十一PMOS晶体管M411的漏极共同接输出端VOUT;第十NMOS晶体管M413、第十二PMOS晶体管M412的漏极共同接第十一PMOS晶体管M411的栅极;第十NMOS晶体管M413的栅极接第二偏置电压Vb2;第十二PMOS晶体管M412的栅极接第六偏置电压Vb6;第十三PMOS晶体管M50的栅极接第六偏置电压Vb6、漏极接第十四至第十五PMOS晶体管M51、M52的源极;第十四至第十五PMOS晶体管M51、M52的栅极分别接输入电压Vin‑和Vin+端;第十一至第十二NMOS晶体管M53、M54的栅极共同接第十一NMOS晶体管M53、第十四PMOS晶体管M51的漏极;第十二NMOS晶体管M54、第十五PMOS晶体管M52的漏极共同接第七NMOS晶体管M31的栅极;外接的负载电容CL接VOUT。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学,未经天津大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510150514.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top