[发明专利]一种氮化铝压电薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201510150589.8 | 申请日： | 2015-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN104805405B | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 刘兴钊;李川;张万里;彭斌;舒琳 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/06;C23C14/02 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种氮化铝压电薄膜及其制备方法，属于压电薄膜制备技术领域。该氮化铝压电薄膜，包括钛合金基片，所述钛合金基片上由下而上依次设置有氮化铝过渡层和氮化铝功能层，所述氮化铝过渡层中铝元素与氮元素的比例范围为11.3～11.5，氮化铝功能层中铝元素与氮元素的比例范围为10.9～11.1，氮化铝过渡层和氮化铝功能层的整体厚度范围为1.5～6μm，c轴取向，应力范围为50～500MPa。本发明采用同质过渡层技术，通过引入过渡层，提高了薄膜的附着性，克服了钛合金表面粗糙度大的不利影响，在与氮化铝晶格匹配度低的钛合金表面制备了高取向低缺陷的氮化铝薄膜。利用中频磁控溅射设备制备氮化铝薄膜，工艺简单易行，沉积速度快，成本低廉；适用于制备氮化铝压电薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 压电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化铝压电薄膜，其特征在于，包括钛合金基片，所述钛合金基片上由下而上依次设置有氮化铝过渡层和氮化铝功能层，所述氮化铝过渡层中铝元素与氮元素的比例范围为1:1.3～1:1.5，氮化铝功能层中铝元素与氮元素的比例范围为1:0.9～1:1.1，氮化铝过渡层和氮化铝功能层的整体厚度范围为1.5～6μm，c轴取向，应力范围为50～500MPa，所述氮化铝过渡层的厚度范围为50～600nm。
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