[发明专利]一种提高硫化铋多晶电导率的方法有效

专利信息
申请号: 201510152321.8 申请日: 2015-04-01
公开(公告)号: CN104894646B 公开(公告)日: 2017-07-11
发明(设计)人: 陈海燕;赵玲;陈小源;杨康;赵艳;王继伟;赵世杰 申请(专利权)人: 中国科学院上海高等研究院
主分类号: C30B29/46 分类号: C30B29/46;C01G29/00;C30B28/04;C30B33/02
代理公司: 上海光华专利事务所31219 代理人: 余明伟
地址: 201210 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种提高硫化铋多晶电导率的方法,至少包括以下步骤提供氯化铋和硫脲作为原料,将氯化铋和硫脲以设定摩尔比混合均匀;将混合均匀的氯化铋和硫脲进行水热反应,得到由硫化铋纳米棒组成的前驱粉体;将所述前驱粉体置于射频感应炉内进行射频感应热压烧结,得到多晶硫化铋块体。本发明采用氯化铋和硫脲为原料制备的硫化铋热压块体电导率明显优于其它原料制备的;通过退火热处理进一步减少晶体缺陷,提高结晶度,使得硫化铋多晶材料的电导率显著提高,进而提高了硫化铋多晶材料的热电性能。该方法简单可控、操作性强、无污染。
搜索关键词: 一种 提高 硫化 多晶 电导率 方法
【主权项】:
一种提高硫化铋多晶电导率的方法,其特征在于,至少包括以下步骤:提供氯化铋和硫脲作为原料,将氯化铋和硫脲以设定摩尔比混合均匀;将混合均匀的氯化铋和硫脲进行水热反应,得到由硫化铋纳米棒组成的前驱粉体;将所述前驱粉体置于射频感应炉内进行射频感应热压烧结,得到多晶硫化铋块体。
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