[发明专利]近邻阴影效应辅助阵列法制备层转移薄晶硅工艺

摘要

本发明提供一种近邻阴影效应辅助阵列法制备层转移薄晶硅工艺，包括：1)于单晶硅衬底表面形成用于制作周期性棒阵列的掩膜，采用干法刻蚀或外延生长工艺于单晶硅衬底上形成周期性的硅棒阵列；2)于单晶硅衬底表面及硅棒阵列表面形成阻挡层；3)采用选择性刻蚀工艺暴露硅棒阵列顶端的硅；4)以硅棒阵列顶端裸露的硅作为外延生长的籽晶或成核位置，采用化学气相沉积法于硅棒阵列顶端形成连续的硅膜；5)剥离硅膜，将其转移至一预设基底。本发明以单晶硅片为母衬底，所生长薄膜能够继承母板的晶体质量，保证了薄膜的高晶体质量；薄膜剥离后，衬底经过简单处理又可以重复使用，同时气相化学沉积薄膜生长工艺简单，可有效地降低生产成本。

主权项

1.一种近邻阴影效应辅助阵列法制备层转移薄晶硅工艺，其特征在于，至少包括以下步骤：1)提供一单晶硅衬底，于所述单晶硅衬底表面形成用于制作周期性棒阵列的掩膜，然后采用干法刻蚀或外延生长工艺于所述单晶硅衬底上形成周期性的硅棒阵列；2)于所述单晶硅衬底表面及硅棒阵列表面形成硅外延生长的阻挡层；3)采用感应耦合等离子体选择刻蚀工艺去除所述硅棒阵列顶端和底部的阻挡层，暴露所述硅棒阵列顶端的硅；4)以所述硅棒阵列顶端裸露的硅作为外延生长的籽晶或者成核位置，采用化学气相沉积法于所述硅棒阵列顶端位置形成连续的硅膜；5)剥离所述硅膜，将所述硅膜转移至一预设基底，所述硅膜的厚度为10μm～60μm；其中，在步骤1)中控制所述硅棒阵列中硅棒的长度和间距，以获得所述硅棒间的邻近阴影效应来抑制步骤4)中形成所述硅膜时硅原子在所述硅棒间的所述单晶硅衬底表面的外延生长。