[发明专利]一种硅晶片形成牺牲氧化层的方法有效
| 申请号： | 201510152644.7 | 申请日： | 2015-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN106158583B | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 李理;马万里;赵圣哲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李相雨 |
| 地址： | 100871 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅晶片形成牺牲氧化层的方法，包括：对清洗后的硅晶片进行第一退火处理；对第一退火处理后的硅晶片进行第二退火处理，形成氧化硅层结构；对氧化硅层结构进行热氧化处理，形成牺牲氧化层结构，得到具有牺牲氧化层的硅晶片。该方法通过对硅晶片进行第一退火处理，减少了硅晶片的表面的缺陷和杂质密度，降低了需要的牺牲氧化层厚度；通过对第一退火处理后的硅晶片进行第二退火处理形成一层氧化硅层，该层能够提高牺牲氧化层的厚度均匀性，缩短牺牲氧化工艺时间。最终通过热氧化处理形成的氧化层表面平整度较好，提高了器件的可靠性和成品率，同时降低了器件的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶片 形成 牺牲 氧化 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅晶片形成牺牲氧化层的方法，其特征在于，包括：对清洗后的硅晶片进行第一退火处理，具体包括通过预设第一退火温度对所述硅晶片进行第一退火处理；对第一退火处理后的硅晶片进行第二退火处理，具体为：将所述预设第一退火温度降温至预设第二退火温度，对所述硅晶片进行第二退火处理，形成氧化硅层结构；对所述氧化硅层结构进行热氧化处理，具体为：将所述预设第二退火温度升温至预设热氧化温度，对所述硅晶片进行热氧化处理；将所述预设热氧化温度降温至预设温度，得到具有牺牲氧化层的硅晶片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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