[发明专利]一种三层结构记忆层的磁电阻元件有效
| 申请号： | 201510152740.1 | 申请日： | 2015-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN104766923B | 公开（公告）日： | 2017-12-15 |
| 发明（设计）人： | 郭一民;陈峻;肖荣福 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙)31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种三层结构记忆层的磁电阻元件，包括依次相邻的参考层、势垒层、记忆层、晶格优化层和基础层；所述参考层的磁化方向不变且磁各向异性垂直于层表面；所述记忆层的磁化方向可变且磁各向异性垂直于层表面，并且其由依次相邻设置的第一记忆子层、第二记忆子层以及介于所述第一记忆子层和所述第二记忆子层之间的插入层的三层膜组成；所述势垒层与所述第一记忆子层相邻；所述晶格优化层与所述第二记忆子层相邻，所述晶格优化层是具有NaCl晶格结构的材料层且其(100)晶面平行于基底平面，并且还包含至少一种掺杂元素，所述晶格优化层还可设置为双层结构；还包括磁性校正层和自旋极化稳定层，它们依次设置在所述基础层和所述晶格优化层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三层 结构 记忆 磁电 元件 | ||
【主权项】：
一种磁电阻元件，包括：参考层，所述参考层的磁化方向不变且磁各向异性垂直于层表面；记忆层，所述记忆层的磁化方向可变且磁各向异性垂直于层表面；势垒层，所述势垒层位于所述参考层和所述记忆层之间且分别与所述参考层和所述记忆层相邻；其特征在于，还包括晶格优化层，所述晶格优化层是具有NaCl晶格结构的材料层且其(100)晶面平行于基底平面；所述晶格优化层还包含至少一种掺杂元素；以及非磁性的基础层，所述基础层与所述晶格优化层相邻；并且所述记忆层由第一记忆子层、第二记忆子层以及介于所述第一记忆子层和所述第二记忆子层之间的插入层的三层膜组成，其中所述第一记忆子层和所述第二记忆子层是磁性材料层，所述插入层是非磁性材料层，所述第一记忆子层与所述势垒层相邻，所述第二记忆子层与所述晶格优化层相邻。
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