[发明专利]一种提高Cu2Se基热电材料相转变温度的方法

摘要

本发明公开了一种提高Cu₂Se基热电材料相转变温度的方法，在Cu₂Se的Cu位掺入Cd元素，具体包括以下步骤：1)根据Cd_xCu_2‑xSe(0.004≤x≤0.012)的化学计量比称取各原料，混合均匀后进行压片；2)将压片所得柱体进行真空密封，然后引发自蔓延反应，反应完成后，进行自然冷却；3)将步骤2)所得反应产物研磨成细粉，然后进行等离子活化烧结，得致密的Cd_xCu_2‑xSe块体。本发明涉及的方法简单、可重复性高，可有效提高Cu₂Se基热电材料的相转变温度，适合推广应用。

主权项

1.一种提高Cu₂Se基热电材料相转变温度的方法，其特征在于，在Cu₂Se的Cu位掺入Cd元素，具体包括以下步骤：1)根据Cd_xCu_2‑xSe，其中0.004≤x≤0.012的化学计量比称取Cd粉、Cu粉和Se粉，混合均匀后进行压片，得柱体原料；2)将步骤1)所得柱体原料进行真空密封，然后点火引发自蔓延反应，反应完成后自然冷却，得锭体产物；3)将步骤2)所得锭体产物研磨成粉末，然后进行等离子活化烧结，得致密的Cu₂Se基热电材料，为Cu2Se单相。