[发明专利]一种调控半导体量子阱材料Rashba和Dresselhaus自旋轨道耦合比值的方法

摘要

本发明涉及一种调控半导体量子阱材料Rashba和Dresselhaus自旋轨道耦合比值的方法，选用无掺杂高质量的半导体量子阱材料，用能量高于此半导体量子阱带隙的光照射样品，同时改变半导体量子阱的温度来调控量子阱中Rashba和Dresselhaus自旋轨道耦合的比值。本发明利用半导体量子阱中光生激子数量随温度的变化效应以及离化激子对内建电场的调控效应，来实现对Rashba和Dresselhaus自旋轨道耦合比值进行调控的目的，方法简单易行，调控效果明显。

主权项

一种调控半导体量子阱材料Rashba和Dresselhaus自旋轨道耦合比值的方法，其特征在于包括以下步骤：步骤S1：选择符合条件的半导体量子阱材料；步骤S2：用一束能量高于步骤S1中所述半导体量子阱材料带隙的光照射所述半导体量子阱材料，同时改变所述半导体量子阱材料的温度，测量半导体量子阱材料的Rashba和Dresselhaus自旋轨道耦合比值；其中，所述步骤S1中所述的条件为：半导体量子阱材料为单晶结构、半导体量子阱材料没有进行掺杂、半导体量子阱材料的阱宽的量级为几个纳米到几十纳米、半导体量子阱材料的带阶分布属于I型结构、半导体量子阱材料的激子束缚能高于6meV并且半导体量子阱材料的内建电场大于7 kV/cm。