[发明专利]电容式套管绝缘缺陷设计方法及装置

摘要

一种电容式套管绝缘缺陷设计方法及装置，所述方法包括步骤建立电容式套管正常模型，确定电容式套管正常模型的电场分布；B、调整电容式套管正常模型的物理属性以建立电容式套管绝缘缺陷模型；C、确定电容式套管绝缘缺陷模型的电场分布，根据电容式套管正常模型的场强最大值和绝缘缺陷模型的场强最大值，确定最大场强畸变倍数；D、若所述最大场强畸变倍数小于第一预定阈值，或最大场强畸变倍数大于第二预定阈值，则调整绝缘缺陷模型的物理属性，重新确定最大场强畸变倍数，直至最大场强畸变倍数处于第一预定阈值和第二预定阈值之间。通过本发明的方法及装置，能够使得电容式套管模型中电场分布可控、参数便于调整、与实际情况吻合度好。

主权项

一种电容式套管绝缘缺陷设计方法，包括步骤：A、建立电容式套管正常模型，确定电容式套管正常模型的电场分布，提取电容式套管正常模型的场强最大值；B、调整电容式套管正常模型的物理属性以建立电容式套管绝缘缺陷模型；C、确定电容式套管绝缘缺陷模型的电场分布，提取绝缘缺陷模型的场强最大值，根据电容式套管正常模型的场强最大值和绝缘缺陷模型的场强最大值，确定最大场强畸变倍数；其特征在于：若所述最大场强畸变倍数小于第一预定阈值，或最大场强畸变倍数大于第二预定阈值，则调整绝缘缺陷模型的物理属性，重新确定最大场强畸变倍数，直至最大场强畸变倍数处于第一预定阈值和第二预定阈值之间；所述第一预定阈值为1.1，第二预定阈值为1.2；所述绝缘缺陷模型的物理属性为脱落层向下位移该层极板的长度，相应地，当所述最大场强畸变倍数小于第一预定阈值时，增大脱落层向下位移该层极板的长度；当所述最大场强畸变倍数大于第二预定阈值时，减小脱落层向下位移该层极板的长度；所述脱落层向下位移缺陷的绝缘缺陷模型，当与最大值相差5％以内场强分布体积超过所述脱落层体积的10％，则确定为合理绝缘缺陷；所述绝缘缺陷模型的物理属性为电容芯子受潮首层的含水率，相应地，当所述最大场强畸变倍数小于第一预定阈值时，增大电容芯子受潮首层的含水率；当所述最大场强畸变倍数大于第二预定阈值时，减小电容芯子受潮首层的含水率；所述绝缘缺陷模型的物理属性为电容芯子受潮末层的含水率，相应地，当所述最大场强畸变倍数小于第一预定阈值时，增大电容芯子受潮末层的含水率；当所述最大场强畸变倍数大于第二预定阈值时，减小电容芯子受潮末层的含水率；所述电容芯子首层受潮的绝缘缺陷模型或电容芯子末层受潮的绝缘缺陷模型，当受潮缺陷体积超过电容芯子体积的15％，则确定为合理绝缘缺陷。