[发明专利]一种四氧化三钴、钼酸钴核壳异质结构纳米线阵列、制备方法及其应用有效

专利信息
申请号: 201510153050.8 申请日: 2015-04-01
公开(公告)号: CN104752071B 公开(公告)日: 2018-01-19
发明(设计)人: 张小俊;顾正翔;汪阮峰 申请(专利权)人: 安徽师范大学
主分类号: H01G11/46 分类号: H01G11/46;H01G11/30;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 芜湖安汇知识产权代理有限公司34107 代理人: 马荣
地址: 241000 安徽省*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种四氧化三钴、钼酸钴核壳异质结构纳米线阵列、制备方法及其应用。提供了一种两步法制备四氧化三钴、钼酸钴核壳异质结构纳米线阵列材料的方法,制备的四氧化三钴、钼酸钴核壳异质结构纳米线阵列以四氧化三钴纳米线为骨架,在其外部包覆钼酸钴纳米薄膜材料,该结构垂直生长、排列整齐,具有规则的三维异质结构,可直接作为超级电容器的电极材料。与现有技术相比,本发明制备方法产物纯度高、分散性好、晶形好且可控制,生产成本低,重现性好。作为超级电容器的电极材料实现了长的循环稳定性、大的具体电容、高的能量密度和功率密度。
搜索关键词: 一种 氧化 钼酸 钴核壳异质 结构 纳米 阵列 制备 方法 及其 应用
【主权项】:
一种四氧化三钴、钼酸钴核壳异质结构纳米线阵列的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:a、清洗泡沫镍;b、将六水氯化钴、氟化铵、尿素溶解于二次蒸馏水中混合均匀,得到混合液,放入反应釜中,清洗后的泡沫镍浸入混合液中,密封反应,冷却、清洗、干燥、煅烧,得到生长着四氧化三钴纳米线阵列的泡沫镍;c、将二水钼酸钠、尿素溶解于二次蒸馏水中得到混合液,放入反应釜中,生长着四氧化三钴纳米线阵列的泡沫镍浸入混合液中,密封反应,冷却、清洗、干燥,煅烧,得到四氧化三钴、钼酸钴核壳异质结构纳米线阵列;步骤b中氟化铵在混合液中浓度≥0.008 mol L‑1,六水氯化钴的浓度≥0.002 mol L‑1,尿素的浓度≥0.01mol L‑1;步骤c为:将二水钼酸钠、尿素溶解于二次蒸馏水中搅拌,形成均匀,得混合溶液,将步骤b制备的生长着四氧化三钴纳米线阵列的泡沫镍浸入混合溶液中,一同放入反应釜中,反应釜密闭,加热反应,冷却至室温,乙醇清洗,室温干燥,然后在300℃空气氛下煅烧3h,得到四氧化三钴、钼酸钴核壳异质结构纳米线阵列;步骤c中二水钼酸钠在混合溶液中浓度为0.001‑0.2mol L‑1,尿素的浓度≥0.001 mol L‑1;所述四氧化三钴、钼酸钴核壳异质结构纳米线阵列以四氧化三钴纳米线为骨架,在其外部包覆钼酸钴纳米薄膜材料。
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