[发明专利]LED芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 201510153145.X | 申请日： | 2015-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN106159057B | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 朱秀山;徐慧文;李智勇;朱广敏;余婷婷;张宇;李起鸣 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/42 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;骆苏华 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LED芯片及其制作方法，制作方法包括：提供衬底、N型半导体层、有源层和P型半导体层；形成第一、第二透明导电层；形成功函数大于透明导电层的含银的金属反射层，其中位于第一透明导电层上的金属反射层为P电极，位于第二透明导电层上的金属反射层为N电极；LED芯片包括衬底、N型半导体层、有源层和P型半导体层，第一、第二透明导电层；金属反射层，其中位于第一透明导电层上的金属反射层为P电极，位于第二透明导电层上的金属反射层为N电极。本发明的有益效果在于，降低P、N型半导体层与金属反射层之间的势垒高度，进而减小P、N型半导体层与金属反射层之间的欧姆接触，减小LED芯片的工作电压，增加LED芯片的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上依次形成N型半导体层、有源层和P型半导体层；在所述P型半导体层和有源层中形成露出部分N型半导体层的开口；在所述P型半导体层上以及开口底部形成功函数大于所述P型半导体层以及N型半导体层的透明导电层，其中位于所述P型半导体层上的透明导电层为第一透明导电层，位于所述开口中露出的N型半导体层上的透明导电层为第二透明导电层，所述第一透明导电层和第二透明导电层之间不接触；在所述第一透明导电层以及第二透明导电层的表面和侧壁形成含银的金属反射层，所述含银的金属反射层的功函数大于所述透明导电层的功函数，其中，位于所述第一透明导电层上的金属反射层作为所述LED芯片的P电极，位于所述第二透明导电层上的金属反射层作为所述LED芯片的N电极，所述P电极和N电极之间不接触。
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