[发明专利]吡咯并吡咯二酮-并二噻吩聚合物及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 201510155087.4 | 申请日： | 2015-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN104761706A | 公开（公告）日： | 2015-07-08 |
| 发明（设计）人： | 张卫锋;毛祖攀;黄剑耀;高冬;陈智慧;于贵 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | C08G61/12 | 分类号： | C08G61/12;H01L51/30 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅;赵静 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明公开了一类吡咯并吡咯二酮-并二噻吩聚合物及其制备方法与其在场效应晶体管中的应用。所述吡咯并吡咯二酮-并二噻吩聚合物结构式如式Ⅰ所示。R1和R2均独立地选自下述任意一种：C1-C120的直链或支链烷基。R3和R4均独立地选自下述任意一种：C1-C60的直链或支链烷基。本发明还提供了式Ⅰ所示聚合物的制备方法。本发明的合成路线简单高效，原料易得，宜于大规模合成。以本发明的吡咯并吡咯二酮-并二噻吩聚合物为有机半导体层制备的场效应晶体管的迁移率和开关比都比较高，迁移率最高为2.0cm2V-1s-1，开关比为105。本发明的聚合物在有机场效应管器件中有良好的应用前景。 |
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| 搜索关键词： | 吡咯 噻吩 聚合物 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
式I所示聚合物：![]()
上述式Ⅰ中，R1和R2均独立地选自下述任意一种：C1‑C120的直链或支链烷基；R3和R4均独立地选自下述任意一种：C1‑C60的直链或支链烷基；n为聚合度，n为10‑3000。
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