[发明专利]一种沟槽型功率器件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种沟槽型功率器件及其制作方法，该制作方法包括：在衬底上形成N型外延层，并对N型外延层进行刻蚀形成沟槽；在沟槽内注入P型离子形成深P型注入区域，并在沟槽内填充绝缘介质；在N型外延层表面非沟槽区域交替注入P型离子和N型离子，形成浅P型注入区域和浅N型注入区域。该方法通过采用深P型注入区域与浅P型注入区域和浅N型注入区域结合，浅N型注入区域防止氧化层中负电荷在分压结构表面形成空穴反型层，浅P型注入区域减小了氧化层中正电荷在分压结构表面形成的电子积累层形成的电场尖峰，上述注入区域的结合消除了分压结构表面积累的电场对分压结构的影响，提高了器件的性能和可靠性。

主权项

一种沟槽型功率器件的制作方法，其特征在于，包括：在衬底上形成N型外延层，并对所述N型外延层进行刻蚀形成沟槽；在所述沟槽内注入P型离子形成深P型注入区域，并在所述沟槽内填充绝缘介质；在所述N型外延层表面非沟槽区域交替注入P型离子和N型离子，形成浅P型注入区域和浅N型注入区域。