[发明专利]一种InAsSb/AlAsSb材料红外探测器件的腐蚀液及器件制作方法在审

专利信息
申请号: 201510155546.9 申请日: 2015-04-02
公开(公告)号: CN104818484A 公开(公告)日: 2015-08-05
发明(设计)人: 何苗;杨旗;郑树文;宿世臣 申请(专利权)人: 华南师范大学
主分类号: C23F1/16 分类号: C23F1/16;C23F1/02;H01L31/18
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 郑莹
地址: 510630 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种InAsSb/AlAsSb材料红外探测器件的腐蚀液及器件制作方法;本发明的腐蚀液在20℃湿法腐蚀掉Si-InAs、Si-InAsSb、AlAs-AlSb合金的平均速度为27nm/s,腐蚀速度适当、腐蚀能力好的,避免干法刻蚀所涉及到的大型设备,有利于降低成本;本发明方法使用湿法腐蚀到下电极,不用干法刻蚀所涉及到的大型设备,有利于降低成本,提供了一种方便又容易实验的制作器件刻蚀流程,保证能够达到同样的红外探测器器件参数的同时,减低了对大型器材的依赖和损耗,完成了器件工艺的任务。本发明作为一种InAsSb/AlAsSb材料红外探测器件的腐蚀液及器件制作方法可广泛应用于半导体领域。
搜索关键词: 一种 inassb alassb 材料 红外探测器 腐蚀 器件 制作方法
【主权项】:
一种InAsSb/AlAsSb材料红外探测器件的腐蚀液,其特征在于:该腐蚀液由硝酸HNO3、双氧水H2O2和水H2O配制而成,配比为HNO3:H2O2:H2O=1:1:4。
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