[发明专利]通过功率MOSFET的分裂栅极中的贯穿多晶硅接头实现分裂多晶硅连接

摘要

一种通过功率MOSFET的分裂栅极中的贯穿多晶硅接头实现分裂多晶硅连接。本发明提出了一种在分裂栅极沟槽晶体管器件中的接触结构，用于连接沟槽内的顶部电极和底部电极。包括一个半导体衬底以及形成在半导体衬底中的一个或多个沟槽。沿沟槽内部侧壁，沟槽内衬绝缘材料。在每个沟槽底部都有一个底部电极，在每个沟槽顶部都有一个顶部电极。底部电极和顶部电极通过绝缘材料分隔开。用导电材料填充的接触结构形成在器件有源区以外的区域中的每个沟槽中，以便连接顶部电极和底部电极。

主权项

1.一种晶体管器件，其特征在于，包括：一个半导体衬底；多个形成在半导体衬底中的沟槽，每个沟槽都沿沟槽内部侧壁内衬绝缘材料，在每个沟槽底部都有底部导电材料，在每个沟槽顶部都有顶部导电材料，其中底部导电材料和顶部导电材料被中间电极绝缘层分隔开；通过对所述顶部导电材料刻蚀，触及所述底部导电材料，形成接触结构开口垂直对准所述顶部导电材料；以及多个接触结构分别形成在器件有源区以外的区域中的多个沟槽中，每个接触结构都用导电材料填充，其中每个接触结构都穿过一部分顶部导电材料以及顶部导电材料以下的中间电极绝缘层，到达底部导电材料；每个所述接触结构形成在所述沟槽延伸到所述有源区外部的沟槽末端；所述有源区还包括一个或多个自对准接触开口，导电的接头形成在所述接触开口中。