[发明专利]一种可替换IGBT模块的SiCMOSFET智能功率集成模块有效
| 申请号： | 201510155623.0 | 申请日： | 2015-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN104779815B | 公开（公告）日： | 2017-08-01 |
| 发明（设计）人： | 任宇;杨旭;田莫帆;王康平;柳龙;曾翔君 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H02M7/00 | 分类号： | H02M7/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可替换IGBT模块的SiC MOSFET智能功率集成模块，包括底板、交流功率端子、输入端子、第一控制端子及第二控制端子，底板上集成有SiC MOSFET功率单元、母线电容、第一驱动电路及第二驱动电路。本发明可以有效的降低驱动回路及功率回路的寄生电感，减少功率回路和驱动回路的振荡，提高半导体开关的工作可靠性和工作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 替换 igbt 模块 sic mosfet 智能 功率 集成 | ||
【主权项】：
一种可替换IGBT模块的SiC MOSFET智能功率集成模块，其特征在于，包括底板、交流功率端子、输入端子、第一控制端子及第二控制端子，底板上集成有SiC MOSFET功率单元(1)、母线电容(9)、第一驱动电路及第二驱动电路；第一驱动电路包括第一辅助电源(2)、第一驱动芯片(3)及第一驱动电平转换电路(4)，第二驱动电路包括第二辅助电源(5)、第二驱动芯片(6)及第二驱动电平转换电路(7)，第一控制端子与第一辅助电源(2)的控制端及第一驱动电平转换电路(4)的输入端相连接，第二控制端子与第二辅助电源(5)的控制端及第二驱动电平转换电路(7)的输入端相连接，第一驱动芯片(3)的电源接口与第一辅助电源(2)相连接，第一驱动芯片(3)的输入端与第一驱动电平转换电路(4)的输出端相连接，第二驱动芯片(6)的电源接口与第二辅助电源(5)相连接，第二驱动芯片(6)的输入端与第二驱动电平转换电路(7)的输出端相连接，第一驱动芯片(3)的输出端及第二驱动芯片(6)的输出端分别与SiC MOSFET功率单元(1)中上桥臂的控制端及下桥臂的控制端相连接；所述SiC MOSFET功率单元(1)的输入端与输入端子相连接，SiC MOSFET功率单元(1)的输出端与交流功率端子相连接，母线电容(9)并联于SiC MOSFET功率单元(1)中桥臂的两端；所述SiC MOSFET功率单元(1)为半桥功率模块或三相全桥功率模块；所述底板还集成有用于检测半导体器件工作温度的温度检测单元(8)，温度检测单元(8)连接有温度检测端子。
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