[发明专利]半导体静电放电保护元件有效
| 申请号： | 201510156061.1 | 申请日： | 2015-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN106158833B | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 黄崇佑;苏冠丞;唐天浩;张秉真 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L29/78 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陈小雯<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体静电放电保护元件，包含有一基底、一设置于该基底上的栅极组、分别设置于该栅极组两侧的该基底内的一源极区域与一漏极区域、至少一设置于该漏极区域内的第一掺杂区域、以及至少一设置于该基底内的第二掺杂区域。该源极区域与该漏极区域包含有一第一导电型态，而该第一掺杂区域与该第二掺杂区域则包含有一第二导电型态，且该第二导电型态与该第一导电型态互补。该第二掺杂区域与该第一掺杂区域彼此电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 静电 放电 保护 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体静电放电(electrostatic discharge protection，ESD)保护元件，包含有:/n基底；/n栅极组(gate set)，设置于该基底上；/n源极区域与漏极区域，分别设置于该栅极组两侧的该基底内，且该源极区域与该漏极区域包含有一第一导电型态(conductivity type)；/n至少一第一掺杂区域，设置于该漏极区域内，该第一掺杂区域包含有一第二导电型态，且该第二导电型态与该第一导电型态互补(complementary)；/n至少一第二掺杂区域，设置于该源极区域内，该第二掺杂区域包含有该第二导电型态，且该第二掺杂区域与该第一掺杂区域彼此电连接；/n第一阻挡结构，包围该第一掺杂区域以隔离该第一掺杂区域与该漏极区域；以及/n第二阻挡结构，包围该第二掺杂区域以隔离该第二掺杂区域。/n
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