[发明专利]一种在ITO导电玻璃上沉积氧化铁薄膜的制备方法

摘要

本发明属于金属氧化物半导体薄膜材料的制备技术领域，具体涉及一种在ITO导电玻璃上沉积氧化铁薄膜的制备方法。为了提供一种在ITO导电玻璃上沉积具有较高透明度、均匀、稳定的氧化铁薄膜的简便制备方法，该方法以可溶性三价铁盐和可溶性草酸盐为原料，采用水热法在ITO导电玻璃上沉积氧化铁薄膜。本发明得到的氧化铁薄膜非常均匀，具有良好的透光性能，薄膜与基底结合牢固，所使用的原料简单，成本低廉，原料本身及反应残液均无污染，大规模工业应用不会产生污染问题。工艺操作简便，对设备要求低，能耗小，对膜的控制方便且灵活。

主权项

1.一种在 ITO 导电玻璃上沉积氧化铁薄膜的制备方法，其特征在于：以可溶性三价铁盐和可溶性草酸盐为原料，采用水热法在 ITO 导电玻璃上沉积氧化铁薄膜；所述制备方法的具体步骤如下： (1) 清洗 ITO 导电玻璃基片，洗涤后的ITO导电玻璃真空干燥备用； (2) 将可溶性三价铁盐和可溶性草酸盐，溶解于去离子水中，使铁离子与草酸根离子的摩尔比为1:3，形成浓度为0.0375‑0.0625M 的三草酸合铁溶液； (3) 将洗净干燥的 ITO导电玻璃竖直放置在具聚四氟乙烯内衬的水热釜中，加入三草酸合铁溶液，封紧后，在160‑200℃温度下恒温4‑12小时，反应结束后自然冷却至室温，取出导电玻璃，分别用去离子水和乙醇洗涤数次并干燥，得最终产品； 所述可溶性三价铁盐和可溶性草酸盐中铁离子与草酸根离子的摩尔比为 1:3；所述水热法的反应条件为在160‑200℃下恒温反应 4‑12 小时。