[发明专利]高透高反高效节能单银LOW‑E镀膜玻璃有效
申请号: | 201510156849.2 | 申请日: | 2015-04-03 |
公开(公告)号: | CN104742446B | 公开(公告)日: | 2017-05-24 |
发明(设计)人: | 陈君;汤传兴;张永炬 | 申请(专利权)人: | 杭州电子科技大学;浙江中力节能玻璃制造有限公司;台州学院 |
主分类号: | B32B17/06 | 分类号: | B32B17/06;B32B15/04;B32B9/04 |
代理公司: | 浙江杭州金通专利事务所有限公司33100 | 代理人: | 王佳健 |
地址: | 310018 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种高透高反高效节能单银LOW‑E镀膜玻璃。本发明是在自基片玻璃向外依次设置第一电介质层、第二电介质层、Ag层、保护层、第三电介质层、第四电介质层,其中第一电介质层为SiAlNx,第二电介质层为ZnAlOx,保护层为Ti,第三电介质层为ZnAlOx,第四电介质层为SiAlNx。本发明采用单银Low‑E的生产工艺达到双银Low‑E的节能效果,用更稳定、更简单的生产工艺和更低的成本生产出适合中高端市场的高性能产品。 | ||
搜索关键词: | 高透高反 高效 节能 low 镀膜 玻璃 | ||
【主权项】:
高透高反高效节能单银LOW‑E镀膜玻璃,其特征在于:自基片玻璃向外依次设置有第一电介质层、第二电介质层、Ag层、保护层、第三电介质层、第四电介质层,其中第一电介质层为SiAlNx,第二电介质层为ZnAlOx,保护层为Ti,第三电介质层为ZnAlOx,第四电介质层为SiAlNx;在光照下,第二电介质层的ZnAlOx中的电子将往Ag层中迁移,第三电介质层中ZnAlOx的电子将往保护层中迁移,整体提高Ag层的导电性能,对红外光的反射上升,表现为节能性能的提高。
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