[发明专利]一种NAND FLASH坏块管理系统及方法在审
| 申请号： | 201510158107.3 | 申请日： | 2015-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN104765695A | 公开（公告）日： | 2015-07-08 |
| 发明（设计）人： | 周仕成;殷科军;舒汀;唐斌;郁文贤;黄飞 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学;上海无线电设备研究所 |
| 主分类号： | G06F12/02 | 分类号： | G06F12/02 |
| 代理公司： | 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 31227 | 代理人： | 孟旭彤 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种NAND FLASH坏块管理系统，包括NAND FLASH接口控制单元、坏块管理单元、非易失性存储器接口控制单元和非易失性存储器，所述NAND FLASH接口控制单元连接NAND FLASH阵列，所述NAND FLASH接口控制单元连接坏块管理单元，所述坏块管理单元通过非易失性存储器接口控制单元连接非易失性存储器。所述的非易失性存储器是EEPROM。所述的坏块管理单元基于FPGA。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nand flash 管理 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种NAND FLASH坏块管理系统，其特征在于，包括NAND FLASH接口控制单元、坏块管理单元、非易失性存储器接口控制单元和非易失性存储器，所述NAND FLASH接口控制单元连接NAND FLASH阵列，所述NAND FLASH接口控制单元连接坏块管理单元，所述坏块管理单元通过非易失性存储器接口控制单元连接非易失性存储器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学;上海无线电设备研究所，未经上海交通大学;上海无线电设备研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510158107.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种分词方法及装置
- 下一篇：一种数据备份和数据恢复方法及装置
