[发明专利]钨MEMS结构的制造有效
| 申请号： | 201510158150.X | 申请日： | 2015-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN104973563B | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | 约翰·A·吉恩;G·M·摩尔纳;G·S·戴维斯;B·马;K·J·库勒;J·迪莫那;K·弗兰德 | 申请（专利权）人： | 美国亚德诺半导体公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 王莉莉 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及钨MEMS结构的制造。在低温下制造厚的(即，大于2微米)精细颗粒的低应力的钨MEMS结构，尤其对于所谓的“MEMS最后”制造处理(例如，在制造了电子电路之后制造MEMS结构时)。公开了用于精确地从沉积的钨层刻蚀出结构细节以及用于坚固地并稳定地将钨层锚定至下面的衬底的手段。而且，公开了用于去除移动钨层下的牺牲层而不破坏钨或允许其被表面拉力向下拉和吸取的手段。 | ||
| 搜索关键词： | mems 结构 制造 | ||
【主权项】：
一种用于制造MEMS器件的方法，所述MEMS器件具有基于钨的MEMS结构，所述方法包括：在不首先使得氧化层致密化的情况下，在500C以下的温度利用晶粒生长抑制剂沉积基于钨的材料，以在下层的氧化物层上形成至少2微米厚的低应力的基于钨的材料层，所述基于钨的材料层与下层的氧化物层接触；以及刻蚀基于钨的材料层以形成基于钨的MEMS结构。
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