[发明专利]局部离子注入设备及方法在审
| 申请号： | 201510158234.3 | 申请日： | 2008-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN104766777A | 公开（公告）日： | 2015-07-08 |
| 发明（设计）人： | 卢俓奉;金东锡 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 焦玉恒 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于将离子注入晶片的设备以及局部离子注入方法。此局部离子注入设备和方法期望地提供对所注入的掺杂剂的能量的控制。该局部离子注入设备通常包括离子束发生器、以及第一和第二减速单元。该第一减速单元减速由该离子束发生器产生的离子束的能量；且随后的第二减速单元根据晶片区域将该能量进一步减速为不同能量水平，其中离子将被注入晶片区域。 | ||
| 搜索关键词： | 局部 离子 注入 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种局部离子注入方法，包括：提供具有第一和第二可离子注入区域的晶片；产生离子束；初始减速所产生的离子束；根据所述晶片的区域，将初始减速的离子束进一步减速到不同的第一或第二能量水平；具有所述第一或第二能量水平的离子束进入分析器，该分析器选择性地将进入分析器的离子束的所需部分移动到指定的路径；以及将来自具有所述第一能量水平的所述离子束的离子注入到第一晶片区域，并将来自具有所述第二能量水平的所述离子束的离子注入到第二晶片区域。
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