[发明专利]修正图形的方法有效

专利信息
申请号: 201510158375.5 申请日: 2015-04-03
公开(公告)号: CN106154773B 公开(公告)日: 2019-03-29
发明(设计)人: 张士健 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: G03F9/00 分类号: G03F9/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 应战;骆苏华
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种修正图形的方法,包括:当掩膜板图形的尺寸小于预定值范围时,利用掩膜板的玻璃基板的透光性和遮光层的不透光性,曝光光束由玻璃基板背面射入,经由遮光层射入至光刻胶层,对光刻胶层进行曝光;显影后形成待刻蚀图形;刻蚀显影后剩余光刻胶层,使待刻蚀图形的关键尺寸增大至预定值范围;以刻蚀后的光刻胶层为掩膜,沿关键尺寸增大后的待刻蚀图形刻蚀遮光层至露出玻璃基板,形成满足预定值尺寸范围的图形。本发明在曝光时不需要对准,从而解决了曝光时对准精度低这一问题。
搜索关键词: 修正 图形 方法
【主权项】:
1.一种修正图形的方法,其特征在于,掩膜板制造过程包括:提供玻璃基板,所述玻璃基板上具有一层遮光层,所述遮光层上具有光刻胶层;对光刻胶层进行曝光、显影,形成待刻蚀图形;以光刻胶层为掩膜,沿待刻蚀图形刻蚀遮光层至露出玻璃基板,形成待修复图形;对待修复图形进行修正包括:待修复图形形成在所述遮光层内,且露出所述玻璃基板表面,所述待修复图形的关键尺寸小于预定值范围;在所述玻璃基板和形成有待修复图形的遮光层上涂布另一光刻胶层;对光刻胶层进行软烘;将曝光光束由玻璃基板背面射入,经由遮光层射入至光刻胶层,对所述光刻胶层进行曝光;对曝光后的光刻胶层进行显影,形成待刻蚀图形;对显影后的光刻胶层进行冷却;刻蚀显影后剩余光刻胶层两侧,使待刻蚀图形的关键尺寸增大至预定值范围;以光刻胶层为掩膜,沿关键尺寸增大的待刻蚀图形刻蚀遮光层至露出所述玻璃基板,形成满足预定尺寸的图形;去除光刻胶。
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