[发明专利]利用PECVD工艺淀积薄膜的方法和PECVD装置

摘要

一种利用PECVD工艺淀积薄膜的方法和PECVD装置，该方法包括：将硅片置于反应腔室内，PECVD装置具有第一、二射频发生器，第一射频发生器的射频频率大于第二射频发生器；向反应腔室内通入反应气体，并使第一射频发生器产生第一射频信号、第二射频发生器在选定射频功率下产生第二射频信号，以在硅片上淀积薄膜，选定射频功率大于等于下限射频功率、小于等于上限射频功率，且根据硅片的曲率半径来确定：硅片的曲率半径大于第一预设值时，选定射频功率等于上限射频功率；硅片的曲率半径小于等于第一预设值时，选定射频功率小于上限射频功率。本方案减少了薄膜剥落、薄膜形成裂纹、形成空洞、甚至断片等问题发生的可能。

主权项

1.一种利用PECVD工艺淀积薄膜的方法，其特征在于，包括：将硅片置于PECVD装置的反应腔室内，所述PECVD装置具有第一、二射频发生器，所述第一射频发生器的射频频率大于第二射频发生器的射频频率，所述第二射频发生器设置在下限射频功率至上限射频功率的范围内工作，以使淀积薄膜的不平整度、折射率、淀积速率均符合要求；所述第一射频发生器通过网络匹配器与气体喷淋头电连接，所述第二射频发生器与加热器电连接；向所述反应腔室内通入反应气体，并使所述第一射频发生器产生第一射频信号、所述第二射频发生器在选定射频功率下产生第二射频信号，以在所述硅片上淀积薄膜，其中，所述第一射频信号用于将反应腔室内的气体等离子化，所述第二射频信号用于引导等离子体在硅片表面的淀积，以控制所淀积薄膜的热膨胀系数，从而控制薄膜的应力；所述选定射频功率大于等于所述下限射频功率、小于等于所述上限射频功率，且根据所述硅片的曲率半径来确定：当所述硅片的曲率半径大于第一预设值时，所述选定射频功率等于所述上限射频功率，所述第一预设值满足：待淀积薄膜的硅片的曲率半径设置为所述第一预设值时硅片不会断裂；当所述硅片的曲率半径小于等于所述第一预设值时，所述选定射频功率小于所述上限射频功率。