[发明专利]晶圆的表面处理方法、半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201510158677.2 | 申请日： | 2015-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN106158585B | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 周真 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/324 |
| 代理公司： | 11240 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种晶圆的表面处理方法、半导体器件及其制作方法。其中，该表面处理方法包括以下步骤：将晶圆放置于具有反应气体的反应室中；反应气体与晶圆表面上的氧化物进行反应形成反应产物；以及对晶圆进行至少两次退火处理分解去除反应产物。该表面处理方法通过对晶圆进行多次退火处理，从而使表面处理工艺中产生的反应产物能够被多次分解，且每次退火处理均会对反应产物进行分解以使反应产物的厚度不断减小，同时也降低了由于反应产物的厚度过厚导致的反应产物的分解难度，进而使晶圆表面上的反应产物更容易被分解掉，减少了表面处理工艺中晶圆表面上产生的反应产物的残留物。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 处理 方法 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：/n利用表面处理方法对晶圆或设置有晶体管的晶圆进行表面处理；以及/n在所述表面处理后的所述晶圆上设置半导体器件结构以形成半导体器件，/n所述表面处理方法包括以下步骤：/n将所述晶圆放置于具有反应气体的反应室中；/n所述反应气体与所述晶圆表面上的氧化物进行反应形成反应产物；以及/n对所述晶圆进行至少两次退火处理分解去除所述反应产物，/n在所述退火处理的步骤中，进一步向所述反应室中通入H
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
