[发明专利]finFET器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201510158698.4 | 申请日： | 2015-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN106158641B | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 宋化龙;蒲月皎 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/266;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 梁文惠;吴贵明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种finFET器件及其制作方法。该制作方法包括：在衬底上设置鳍片和氧化层，鳍片内掺杂有第一杂质离子且形成依次靠近衬底设置的第一轻掺杂区、重掺杂阱区和第二轻掺杂区；在鳍片上设置栅极结构和侧墙；以栅极结构和侧墙为掩膜，刻蚀鳍片以在鳍片上形成凹陷部，凹陷部的顶面位于重掺杂阱区中；对凹陷部进行第二杂质离子注入形成离子注入区，第二杂质离子为第一杂质离子的反型离子；以及在离子注入区设置源极和漏极。上述制作方法不会影响原有的改善短沟道效应的作用，而且有效减小了重掺杂的存在导致的源极、漏极与衬底之间漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种finFET器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：在衬底上设置鳍片和氧化层，所述鳍片内掺杂有第一杂质离子且形成依次靠近所述衬底设置的第一轻掺杂区、重掺杂阱区和第二轻掺杂区；在所述鳍片上设置栅极结构和侧墙；以所述栅极结构和侧墙为掩膜，刻蚀所述鳍片以在所述鳍片上形成凹陷部，所述凹陷部的顶面位于所述重掺杂阱区中；对所述凹陷部进行第二杂质离子注入形成离子注入区，所述第二杂质离子为所述第一杂质离子的反型离子；以及在所述离子注入区设置源极和漏极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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