[发明专利]光刻胶厚度异常的检测方法有效
| 申请号： | 201510158716.9 | 申请日： | 2015-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN106154755B | 公开（公告）日： | 2018-03-23 |
| 发明（设计）人： | 杨晓松;易旭东 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 吴贵明,张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种光刻胶厚度异常的检测方法。该检测方法包括步骤S1，在晶片的切割道中形成第一光刻图形，第一光刻图形包括至少一个第一光刻矩形，第一光刻矩形与晶片的表面形成台阶结构；步骤S2，在具有台阶结构的晶片的表面上形成第二光刻图形，第二光刻图形包括至少两个第二光刻矩形，第二光刻矩形的宽度对应于目标关键尺寸，第二光刻图形与第一光刻图形垂直且相互隔离设置；步骤S3，获取两个第二光刻矩形的宽度差值；步骤S4，判断宽度差值是否大于标准差值，当宽度差值大于标准差值时，光刻胶厚度出现异常。该方法可以实时地、灵敏地、精确地检测出光刻胶的厚度是否出现异常。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 厚度 异常 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种光刻胶厚度异常的检测方法，其特征在于，所述检测方法包括：步骤S1，在晶片的切割道中形成第一光刻图形，所述第一光刻图形包括至少一个第一光刻矩形，所述第一光刻矩形与所述晶片的表面形成台阶结构；步骤S2，在具有所述台阶结构的所述晶片的表面上形成第二光刻图形，所述第二光刻图形包括至少两个第二光刻矩形，所述第二光刻矩形的宽度对应于目标关键尺寸，所述第二光刻图形与所述第一光刻图形垂直且相互隔离设置；步骤S3，获取两个所述第二光刻矩形之间的宽度差值；以及步骤S4，判断所述宽度差值是否大于标准差值，当所述宽度差值大于标准差值时，光刻胶厚度出现异常。
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