[发明专利]无损驱动电路的驱动损耗调节装置、方法及电源模块有效
申请号: | 201510159048.1 | 申请日: | 2015-04-03 |
公开(公告)号: | CN106160547B | 公开(公告)日: | 2018-12-14 |
发明(设计)人: | 刘策;蔡兵 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | H02M7/537 | 分类号: | H02M7/537 |
代理公司: | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 | 代理人: | 王仲凯 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种无损驱动电路的驱动损耗调节装置、方法及电源模块,无损驱动电路的干路上具有电阻R1,驱动损耗调节装置包括:检测模块,用于检测R1的电流或电压以得到第一驱动损耗,检测模块的输入端与R1相连;调节模块,用于增大或减小无损驱动电路上的MOS管的占空比或死区,调节模块的输入端与检测模块的输出端相连,输出端与无损驱动电路上的MOS管相连;检测模块还用于继续检测R1的电流或电压以得到第二驱动损耗,调节模块根据第一驱动损耗及第二驱动损耗得到驱动损耗的变化情况,根据驱动损耗的变化情况增大或减小无损驱动电路上的MOS管的占空比或死区,以减小无损驱动电路的驱动损耗。 | ||
搜索关键词: | 无损 驱动 电路 损耗 调节 装置 方法 电源模块 | ||
【主权项】:
1.一种无损驱动电路的驱动损耗调节装置,所述无损驱动电路的干路上具有电阻R1,所述R1一端与所述无损驱动电路的电源V1相连,所述R1另一端与所述无损驱动电路的电容C2的一端相连,所述电容C2的另一端与所述电源V1相连,所述无损驱动电路的金属氧化物半导体MOS管Q1及MOS管Q4的漏极与所述电源V1相连或与所述R1的另一端相连,所述MOS管Q1的源极与MOS管Q2的漏极相连,所述MOS管Q2的源极接地,所述MOS管Q4的源极与MOS管Q3的漏极相连,所述MOS管Q3的源极接地,所述MOS管Q1的源极与接地端之间连接有电容C3,所述MOS管Q4的源极与所述接地端之间连接有电容C4,所述MOS管Q1的源极还通过电容C1与变压器TI的初级线圈的同名端相连,所述MOS管Q3的漏极还与所述变压器TI的初级线圈的另一端相连,其特征在于,所述驱动损耗调节装置包括:检测模块,用于检测所述R1的电流或电压以得到所述无损驱动电路的第一驱动损耗,将所述第一驱动损耗发送给调节模块,所述检测模块的输入端与所述电阻R1相连;调节模块,用于接收所述第一驱动损耗,增大或减小所述无损驱动电路上的MOS管的占空比或死区,所述调节模块的输入端与所述检测模块的输出端相连,所述调节模块的输出端与所述无损驱动电路上的MOS管相连;所述检测模块在所述调节模块增大或减小所述无损驱动电路上的MOS管的占空比或死区之后,还用于继续检测所述R1的电流或电压以得到所述无损驱动电路的第二驱动损耗,将所述第二驱动损耗发送给所述调节模块;所述调节模块接收所述第二驱动损耗,根据所述第一驱动损耗及所述第二驱动损耗得到驱动损耗的变化情况,根据所述驱动损耗的变化情况增大或减小所述无损驱动电路上的MOS管的占空比或死区,以减小所述无损驱动电路的驱动损耗。
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