[发明专利]一种高散热性能的SMT二极管封装结构有效
申请号: | 201510159293.2 | 申请日: | 2015-04-07 |
公开(公告)号: | CN104867884B | 公开(公告)日: | 2018-02-27 |
发明(设计)人: | 孔凡伟;贺先忠;段花山;陆新城;刘君;袁小平;荀义 | 申请(专利权)人: | 山东晶导微电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/367;H01L23/48 |
代理公司: | 济南泉城专利商标事务所37218 | 代理人: | 李桂存 |
地址: | 273100 山东省济宁市*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的高散热性能的SMT二极管封装结构,包括塑封体,塑封体的两端底面上分别设置有引脚,所述引脚为“T”字形结构,引脚包括引脚前端和引脚后端,引脚后端部分与塑封体底面结合,引脚后端的宽度与塑封体的宽度相等。本发明将引脚设计成“T”字形结构,在兼容市场上大多数类似封装的情况下,有着良好的散热效果,使得封装的产品有更低的热阻,较同外形尺寸的其它封装形式其热阻能减少35%左右,封装的功率密度(W/mm2)较以前的SOD123提高大约10.5%。 | ||
搜索关键词: | 一种 散热 性能 smt 二极管 封装 结构 | ||
【主权项】:
一种高散热性能的SMT二极管封装结构,包括塑封体(1),塑封体两端底面上分别设置有引脚(2),其特征在于:所述引脚(2)为“T”字形结构,引脚(2)包括引脚前端(21)和引脚后端(22),引脚后端(22)部分与塑封体底面结合,引脚后端(22)的宽度与塑封体(1)的宽度相等;所述引脚后端(22)与塑封体结合部分的长度 A 和引脚后端(22)未与塑封体结合部分的长度 B 之比为 1.5;所述引脚前端(21)的宽度e与引脚后端(22)的宽度E之比为 0.5;所述引脚(2)为表面镀锡的铜;所述引脚(2)的厚度为 0.14‑0.16mm;所述塑封体(1)的厚度为 0.95‑1.08mm;塑封体 1 的两端面与竖直方向的夹角 β为 5°;所述二极管内部采用三明治焊接塑封体结构,采用一冶金结合方法焊接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东晶导微电子有限公司,未经山东晶导微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510159293.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。