[发明专利]半导体元件及其制作方法有效
| 申请号： | 201510159728.3 | 申请日： | 2015-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN106158748B | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 冯立伟;蔡世鸿;林昭宏;许智凯;洪裕祥;郑志祥 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/336;H01L27/092;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该制作半导体元件的方法。首先提供一基底，该基底上设有一第一鳍状结构，然后形成一间隙壁于第一鳍状结构旁，利用间隙壁为掩模去除部分基底以形成一第二鳍状结构，其中第二鳍状结构包含一上半部以及一下半部。之后形成一掺杂区于第二鳍状结构的下半部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种制作半导体元件的方法，包含：提供一基底，该基底上设有一第一鳍状结构；形成一间隙壁于该第一鳍状结构旁；利用该间隙壁为掩模去除部分该基底以形成一第二鳍状结构，其中该第二鳍状结构包含一上半部以及一下半部；以及形成一掺杂区于该第二鳍状结构的该下半部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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