[发明专利]化学机械抛光组合物以及用于抑制多晶硅移除速率的方法有效
| 申请号： | 201510160634.8 | 申请日： | 2010-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN104845532B | 公开（公告）日： | 2017-10-03 |
| 发明（设计）人： | K.摩根伯格;W.沃德;M.S.蔡;F.德里格塞萨索罗 | 申请（专利权）人： | 嘉柏微电子材料股份公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;C09K3/14 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 宋莉 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了适用于抛光含氮化硅的基材同时抑制多晶硅从该基材移除的化学机械抛光(CMP)组合物。该组合物包含悬浮于含表面活性剂的酸性含水载体中的研磨剂颗粒，所述表面活性剂包括炔二醇、炔二醇乙氧基化物、或它们的组合。本发明还公开以该化学机械抛光组合物抛光半导体基材的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械抛光 组合 以及 用于 抑制 多晶 速率 方法 | ||
【主权项】：
化学机械抛光组合物用于抛光含氮化硅的基材同时抑制多晶硅从该基材移除的用途，该组合物包含0.01至15重量％的悬浮于含有10至10000ppm表面活性剂的含水载体中的研磨剂颗粒、以及有机或无机盐添加剂，所述表面活性剂包括炔二醇、炔二醇乙氧基化物、或它们的组合，其中该含水载体具有1‑4的pH。
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