[发明专利]自旋转移扭矩磁存储器单元和存储器在审
| 申请号： | 201510160721.3 | 申请日： | 2015-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN106158000A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 贾泽;陶子豪;杨伟;赵俊峰 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司;电子科技大学 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 陶敏;黄健 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种自旋转移扭矩磁存储器单元和存储器，该存储器单元包括：第一源极线、第二源极线、位线、字线，以及第一晶体管、第二晶体管和磁性隧道结MTJ；第一晶体管的栅极与字线连接，第一晶体管的源极与第一源极线连接；第一晶体管的漏极与MTJ的一端连接，MTJ的另一端与位线连接；第二晶体管的源极与第二源极线连接，第二晶体管的栅极、漏极分别与第一晶体管的漏极连接。通过根据MTJ工作阻态的不同，控制第一晶体管和第二晶体管导通截止状态的变化，从而使得不同写入阻态时，第一晶体管和第二晶体管导通截止状态不同，实现对MTJ写入电流的差异控制，避免电量的浪费，提高了MTJ的使用可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 自旋 转移 扭矩 磁存储器 单元 存储器 | ||
【主权项】：
一种自旋转移扭矩磁存储器单元，其特征在于，包括：第一源极线、第二源极线、位线、字线，以及第一晶体管、第二晶体管和磁性隧道结MTJ；所述第一晶体管的栅极与所述字线连接，所述第一晶体管的源极与第一源极线连接；所述第一晶体管的漏极与所述MTJ的一端连接，所述MTJ的另一端与所述位线连接；所述第二晶体管的源极与所述第二源极线连接，所述第二晶体管的栅极、所述第二晶体管的漏极分别与所述第一晶体管的漏极连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华为技术有限公司;电子科技大学，未经华为技术有限公司;电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510160721.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种治疗肺结核的内服中药蜜丸
- 下一篇：群体异常行为检测方法及系统
