[发明专利]加工装置在审
申请号: | 201510160730.2 | 申请日: | 2015-04-07 |
公开(公告)号: | CN104979243A | 公开(公告)日: | 2015-10-14 |
发明(设计)人: | 凑浩吉;关口雄也 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B24B7/22 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供加工装置,其能够容易地将加工室内外的压差控制成规定的压差。加工装置具备:保持被加工物的保持构件;对由该保持构件保持的被加工物实施加工的加工构件;至少收纳该保持构件和该加工构件的加工室;将气体输送至该加工室内的送风构件;将该加工室内的气氛排出的排气构件;和至少控制该加工构件的控制单元,所述加工装置的特征在于,所述加工装置具备检测该加工室内的气氛与该加工室外的气氛之间的压差的压差计,该排气构件具有:将该加工室内的气氛排出的排气通道;和能够对该排气通道的一部分进行遮蔽的遮蔽构件,该控制单元根据由该压差计检测出的值对该遮蔽构件进行控制,以使该加工室内的气氛与该加工室外的气氛相比形成规定的压差。 | ||
搜索关键词: | 加工 装置 | ||
【主权项】:
一种加工装置,所述加工装置具备:保持被加工物的保持构件;对由该保持构件保持的被加工物实施加工的加工构件;至少收纳该保持构件和该加工构件的加工室;将气体输送至该加工室内的送风构件;将该加工室内的气氛排出的排气构件;和至少控制该加工构件的控制单元,所述加工装置的特征在于,所述加工装置具备检测该加工室内的气氛与该加工室外的气氛之间的压差的压差计,该排气构件具有:将该加工室内的气氛排出的排气通道;和能够对该排气通道的一部分进行遮蔽的遮蔽构件,该控制单元根据由该压差计检测出的值对该遮蔽构件进行控制,以使该加工室内的气氛与该加工室外的气氛相比形成规定的压差。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪思科,未经株式会社迪思科许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510160730.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种承载装置及等离子体加工设备
- 下一篇:半导体装置的制造方法及半导体装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造