[发明专利]AlGaN/GaN HEMT压力传感器工艺实现方法有效
| 申请号： | 201510160791.9 | 申请日： | 2015-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN104733522B | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 程知群;王凯;董志华;刘国华;周涛;柯华杰 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 黄前泽 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种AlGaN/GaN HEMT压力传感器工艺实现方法，采用MOCVD或MBE方法在蓝宝石衬底上外延生长出单晶h‑BN移除层；然后在h‑BN移除层上外延常规的AlGaN/GaN HEMT结构层；在帽层上形成AlGaN/GaN HEMT的栅极、源极和漏极；把AlGaN/GaN HEMT器件的正面朝下粘贴在陶瓷载体上；施以外力克服h‑BN的范德瓦耳斯力将蓝宝石衬底剥离掉；把AlGaN/GaN HEMT器件的反面朝下粘贴在开有孔洞的金属铜衬底上。本发明通过h‑BN移除层可以转移器件的衬底，避免腐蚀工艺，使得器件可以生长在除外延材料质量硬度高的蓝宝石衬底上。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 蓝宝石 移除层 压力传感器 工艺实现 粘贴 孔洞 范德瓦耳斯力 衬底剥离 陶瓷载体 外延材料 外延生长 转移器件 常规的 结构层 金属铜 单晶 漏极 帽层 源极 腐蚀 生长 | ||
【主权项】：
AlGaN/GaN HEMT压力传感器工艺实现方法，其特征在于，该方法具体包括以下步骤：步骤一：采用MOCVD或MBE方法在蓝宝石衬底上外延生长出单晶h‑BN移除层；步骤二：在h‑BN移除层上外延常规的AlGaN/GaN HEMT结构层；步骤三：在帽层上形成AlGaN/GaN HEMT的栅极、源极和漏极；步骤四：把AlGaN/GaN HEMT器件的正面朝下粘贴在陶瓷载体上；步骤五：施以外力克服h‑BN的范德瓦耳斯力将蓝宝石衬底剥离掉；步骤六：把AlGaN/GaN HEMT器件的反面朝下粘贴在开有孔洞的金属铜衬底上；所述的常规的AlGaN/GaN HEMT结构层包括生长AlN缓冲层；接着在AlN缓冲层上面外延生长GaN沟道层；之后在沟道层GaN上外延生长AlN隔离层，接着在AlN隔离层上外延生长非掺杂Al0.3Ga0.7N势垒层和GaN帽层；所述的h‑BN移除层厚度为3nm；所述的AlN缓冲层厚度为100nm；所述的GaN沟道层厚度为1.9μm；所述的AlN隔离层厚度为1nm；所述的Al0.3Ga0.7N势垒层厚度为20nm；所述的GaN帽层厚度为2nm。
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