[发明专利]通过电化学腐蚀实现增强型HEMT器件的方法及系统

摘要

本发明揭示了一种通过电化学腐蚀实现增强型HEMT器件的系统，包括刻蚀光源、刻蚀电源、刻蚀溶液、阴极板和刻蚀样品，刻蚀溶液、阴极板、刻蚀电源和刻蚀样品之间串联形成刻蚀回路，将刻蚀样品位于器件栅电极下端的势垒层Al_xGa_(1‑x)N通过电化学的方法全部刻蚀，减弱势垒层的极化效应从而将二维电子气耗尽，实现HEMT器件在零栅偏压的时候处于关断状态，达到由常开型HEMT器件向常关型HEMT器件的转变。本发明还揭示了一种实现增强型HEMT器件的电化学刻蚀方法。本发明有效实现了增强型HEMT，且其具有工艺简单，重复性高，成本低廉，刻蚀损伤小，易于进行大规模生产等特点。

主权项

1.一种通过电化学腐蚀实现增强型HEMT器件的系统，其特征在于包括用以提供刻蚀电流的刻蚀电源和用以作为电解质和刻蚀液的刻蚀溶液，在所述系统工作时，刻蚀样品与阴极板被浸渍于所述刻蚀溶液中，所述刻蚀电源的阳极和阴极分别与刻蚀样品的电极和阴极板连接，从而在所述刻蚀溶液、阴极板、刻蚀电源、刻蚀样品内的二维电子气以及刻蚀样品内位于栅极下方的待刻蚀的部分势垒层之间串联形成一刻蚀回路，其中所述刻蚀样品包括外延层结构，所述外延层结构中形成有所述二维电子气，所述刻蚀样品的电极与所述二维电子气相连接；所述刻蚀溶液采用能够有效刻蚀所述刻蚀样品的势垒层的刻蚀液，所述刻蚀液至少选自硫酸、氢氧化钾和草酸，所述势垒层的材质包括Al_xGa_(1‑x)N，0＜x≤1。