[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

摘要

提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法，其能够一边得到良好的电气特性，一边抑制在硅衬底处形成的保护膜等的功能受损，抑制Si－Ti面的剥离。N型硅衬底(2)在一个面具有由P型硅构成并与N型硅衬底(2)形成PN结的正极层(1)，在另一个面具有由N型硅层构成的负极层(3)。半导体装置(10)还具备第一电极膜(4)，其在负极层(3)上形成，由钛构成，形成SiTi接合；第二电极膜(7)，其在第一电极膜(4)上形成，由Al－Si构成，形成Ti－AlSi接合；第三电极膜(5)，其在第二电极膜上形成，由Ni构成，形成AlSi－Ni接合；以及第四电极膜(6)，其在第三电极膜(5)上形成，由Au构成。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其具备：准备硅衬底的工序，所述硅衬底在一个面具备N型硅层，在另一个面侧具备PN结、电极膜、以及保护膜中的至少一者；通过在所述N型硅层上形成由钛构成的第一电极膜而形成Si－Ti接合的工序；在所述第一电极膜上形成由Al－Si构成的第二电极膜的工序；在所述第二电极膜上形成由Ni构成的第三电极膜的工序；以及对形成所述第三电极膜之后的所述硅衬底进行加热的工序，在所述N型硅层与所述第一电极膜之间不形成硅化钛，所述第一电极膜直接形成在所述N型硅层上。