[发明专利]制备氚的方法、装置和系统在审
申请号: | 201510161091.1 | 申请日: | 2015-04-07 |
公开(公告)号: | CN104900289A | 公开(公告)日: | 2015-09-09 |
发明(设计)人: | 陈大融;蒋亮;陈皓生;汪家道;李党国 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | G21G1/04 | 分类号: | G21G1/04;G21G1/10 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 李志东 |
地址: | 100084 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了制备氚的方法、装置和系统。其中,制备氚的方法包括:将第一流体介质通过柱塞泵进行压缩,以便形成射流,其中,第一流体介质包含至少2mmol/L的6LiD;利用空化盘对射流进行空化处理,形成含有空泡的空泡流;使空泡流通过迷宫式通道,在超声场作用下,进行液汽界面传质处理,得到高内含物空泡流;利用喷嘴使高内含物空泡流以60-100m/s的速度冲击置于第二流体介质中的金属工件的上表面,高内含物空泡流趋近金属工件的上表面,实现氘氘热核聚变,得到氚和快中子,其中,第二流体介质含有氘,快中子在第二流体介质中慢化并得到热中子,热中子与6LiD反应生成额外的氚。利用该方法可以实现氘氘热核聚变,可以安全、简便并且低成本地制备氚。 | ||
搜索关键词: | 制备 方法 装置 系统 | ||
【主权项】:
一种制备氚的方法,其特征在于,包括:将第一流体介质通过柱塞泵进行压缩,以便形成射流,其中,所述第一流体介质包含至少2mmol/L的6LiD;利用空化盘对所述射流进行空化处理,以便形成含有空泡的空泡流;使所述空泡流通过迷宫式通道,在超声场作用下,实现液汽界面传质处理,从而得到高内含物空泡流;以及利用喷嘴使所述高内含物空泡流以60‑100m/s的速度冲击置于第二流体介质中的金属工件的上表面,所述高内含物空泡流趋近所述金属工件的上表面,实现氘氘热核聚变,以便得到氚和快中子,其中,所述第二流体介质含有氘,所述快中子在所述第二流体介质中发生慢化并得到热中子,所述热中子与所述6LiD反应生成额外的氚,任选地,所述第一流体介质和所述第二流体介质均为重水,任选地,所述高内含物空泡流在所述喷嘴的出口的压力为5‑10Bar,速度为至少60m/s,任选地,所述喷嘴的出口与所述金属工件的上表面的距离为10‑20mm,任选地,所述高内含物空泡流到达所述金属工件的上表面的速度为至少50m/s,任选地,所述空泡的Zeta电位为‑30mV‑‑50mV,优选地,为‑40mV,任选地,所述金属工件的材料为镁锰合金,任选地,采用饱和甘汞作为参比电极时,所述金属工件的电位低于‑1200mV,任选地,所述双电层的电场强度为至少107V/m,任选地,所述金属工件的表面的粗糙度Ra为至多0.1μm。
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