[发明专利]浮栅结构、其制作方法及包括其的闪存

摘要

本申请提供了一种浮栅结构、其制作方法及包括其的闪存。该制作方法包括：提供衬底，衬底具有P阱区；在衬底的设置有P阱区的表面上设置依次远离衬底的隧穿氧化层、第一多晶硅层和掩膜层；依次刻蚀掩膜层、第一多晶硅层、隧穿氧化层和衬底形成浅沟槽；在浅沟槽的侧壁和底面上、掩膜层上设置衬垫层，衬垫层中掺杂有P型离子；在衬垫层上设置隔离材料层；对衬垫层和隔离材料层进行退火，第一多晶硅层与衬垫层相邻的端部形成掺杂有P型离子的掺杂多晶硅区，且第一多晶硅层和掺杂多晶硅区构成浮栅；以及去除掩膜层以上的衬垫层和隔离材料层。该制作方法能够实现较高的编程速度、较低的开启电压以及可靠的数据存储效果。

主权项

1.一种浮栅结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供衬底，所述衬底具有P阱区；在所述衬底的设置有所述P阱区的表面上设置依次远离所述衬底的隧穿氧化层、第一多晶硅层和掩膜层，所述第一多晶硅层为N型多晶硅层；依次刻蚀所述掩膜层、所述第一多晶硅层、所述隧穿氧化层和所述衬底形成浅沟槽；在所述浅沟槽的侧壁和底面上、所述掩膜层上设置衬垫层，所述衬垫层中掺杂有P型离子，所述衬垫层中P型离子的摩尔浓度为1E12～1E14atoms/cm³；在所述衬垫层上设置隔离材料层；对所述衬垫层和所述隔离材料层进行退火，所述第一多晶硅层与所述衬垫层相邻的端部形成掺杂有P型离子的掺杂多晶硅区，且所述第一多晶硅层和所述掺杂多晶硅区构成浮栅；以及去除所述掩膜层以上的所述衬垫层和所述隔离材料层，形成浅沟槽隔离结构。