[发明专利]晶体硅太阳能电池的扩散工艺

摘要

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的扩散工艺，包括炉管扩散步骤，在炉管扩散之前，通过光照快速热处理，对硅片进行氧化处理，在硅片表面生成一层均匀的氧化膜。本发明晶体硅太阳能电池的扩散工艺，能在硅片制绒后、磷或硼原子沉积前形成一层均匀氧化层，从而提高扩散后p‑n结的均匀性，从而提升硅片方阻的片内和片间均匀性，有效提高电池效率；且当扩散方阻提升至90Ω/□以上时，方阻均匀性也能有效控制；同时，该均匀氧化层有效的保护了制绒绒面，防止硅片被空气中的颗粒或是人为接触形成污染；而且氧化过程中可以预清理掉制绒时添加剂带来的有机物残留。

主权项

晶体硅太阳能电池的扩散工艺，包括炉管扩散步骤，其特征在于，在炉管扩散之前，通过光照快速热处理，对硅片进行氧化处理，在硅片表面生成一层均匀的氧化膜；在炉管扩散之后，再通过光照快速热处理，对硅片进行氧化处理，在硅片表面生成一层氧化膜；通过湿化学清洗，将在炉管扩散之后生成的氧化膜腐蚀剥离；所述光照快速热处理，包括如下步骤：将硅片置入充满氧化气体的腔体内，腔体内的氧化气体保持在常压状态，硅片表面各处的氧分压保持相同，采用均匀的光照对硅片进行加热，硅片表面各处温度相同，在硅片表面形成氧化膜；所述氧化气体中掺入了氯气、无水氯化氢中的一种或几种；所述炉管扩散之前的光照快速热处理：光照的波长为400～3000nm，光照加热的温度为100～850℃，光照的时间为0.1～10min，氧化气体为氧气、空气、水蒸气中的一种或几种；所述炉管扩散之后的光照快速热处理：光照的波长为200～2000nm ，光照加热的温度为500～1000℃，光照的时间为0.1～10min，氧化气体为氧气、空气、水蒸气中的一种或几种。