[发明专利]一种石墨烯/磷化铟光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种石墨烯/磷化铟光电探测器，自下而上依次有磷化铟层、石墨烯层和表面电极；或者自下而上依次有磷化铟层、绝缘层和表面电极，还设有石墨烯层，石墨烯层设置在磷化铟层上，并与表面电极接触。制备该光电探测器的方法是：将石墨烯转移至洁净的磷化铟片上，再在石墨烯层上制作表面电极；或者在洁净的磷化铟片上生长绝缘层，再在上述绝缘层上制作表面电极，最后将石墨烯转移至磷化铟上，并使石墨烯与表面电极相接触。本发明的石墨烯/磷化铟光电探测器利用石墨烯材料的高载流子迁移率和良好的光电响应，结合磷化铟优异的半导体光电性质，光响应灵敏，响应度高，且制备工艺简单。

主权项

 一种石墨烯/磷化铟光电探测器，其特征在于自下而上依次有p型或n型掺杂的磷化铟层（1）、石墨烯层（2）和表面电极（3）；或者自下而上依次有p型或n型掺杂的磷化铟层（1）、绝缘层（4）和表面电极（3），绝缘层（4）面积占磷化铟层（1）面积的5‑90%，表面电极（3）面积小于绝缘层（4）面积，所述的光电探测器还设有石墨烯层（2），石墨烯层（2）设置在磷化铟层（1）上，并与表面电极（3）接触。