[发明专利]一种柔性钙钛矿太阳能电池的制备工艺有效
申请号: | 201510162849.3 | 申请日: | 2015-04-08 |
公开(公告)号: | CN104795498B | 公开(公告)日: | 2017-10-13 |
发明(设计)人: | 廖广兰;刘智勇;史铁林;谭先华;孙博;吴悠妮 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心42201 | 代理人: | 李智 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种柔性钙钛矿太阳能电池的制备工艺,包括以下步骤1)刻蚀;2)光阳极的制备;3)碳对电极的印刷成膜采用烘干温度在150℃以下的导电碳浆,利用丝网印刷法在柔性导电基底上制备成膜,即得到太阳能电池的碳对电极;碳对电极的一端与ITO导电层接触,另一端与ITO之间存在间隙,生长的ZnO纳米线在该间隙处;4)钙钛矿的添加。本发明采用一种低温的制备工艺在柔性导电基底上制备电池的光阳极。接着采用有机溶剂烘干温度在150℃以下低温导电碳浆料来制备电池的对电极,采用丝网印刷的方式制备成膜,极大的降低了电池对电极的制备成本。并且其烘干快、导电性好,加热温度也不超过柔性导电基底所能承受的温度极限。 | ||
搜索关键词: | 一种 柔性 钙钛矿 太阳能电池 制备 工艺 | ||
【主权项】:
一种柔性钙钛矿太阳能电池的制备工艺,其特征在于:包括以下步骤:1)刻蚀:以PET‑ITO作为柔性导电基底,在ITO导电层上刻蚀出分隔槽,然后对柔性导电基底进行清洗;2)光阳极的制备:利用阴极电化学沉积法在清洗后的导电基底上沉积一层ZnO致密层,再采用磁控溅射法在ZnO致密层上镀一层ZnO的种子层,然后采用水热法在ZnO致密层上生长长度为0.5~2μm的ZnO纳米线,即得到太阳能电池的光阳极,其中,形成的ZnO致密层的厚度为20~200nm,磁控溅射制备的ZnO种子层的厚度为50~100nm,水热法采用的反应溶液为0.02~0.04mol/L的Zn(NO3)2.6H2O、0.02~0.03mol/L的环六亚甲基四胺以及0.004~0.006mol/L的聚乙烯亚胺的水溶液;3)碳对电极的印刷成膜:采用烘干温度在150℃以下的导电碳浆,利用丝网印刷法在柔性导电基底上制备成膜,即得到太阳能电池的碳对电极;形成的碳对电极的一端与ITO导电层接触,另一端与ITO之间存在间隙,生长的ZnO纳米线在该间隙处;4)钙钛矿的添加:将钙钛矿前驱体滴加到碳对电极上,使钙钛矿前驱体从碳对电极渗到ZnO纳米线上,然后烘干,即得到太阳能电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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