[发明专利]碳化硅接面能障萧特基整流器有效
| 申请号： | 201510162864.8 | 申请日： | 2015-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN106158982B | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 颜诚廷;洪建中;李傳英;李隆盛 | 申请（专利权）人： | 瀚薪科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;鲍俊萍 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种碳化硅接面能障萧特基整流器，包含一碳化硅基板、一漂移层、一p型掺杂区域、多个接面场效应区域、一第一金属层以及一第二金属层。所述漂移层设置于所述碳化硅基板上，所述接面场效应区域设置于所述漂移层内，且由所述p型掺杂区域环绕，所述第一金属层设置于所述漂移层上，所述第二金属层设置于所述碳化硅基板远离所述漂移层的一侧。本发明借由于所述接面场效应区域设置N个圆区域以及(N‑1)个连接于两所述圆区域之间的连接区域，利用所述圆区域及所述连接区域的几何特性，有效降低元件的漏电流并提升耐压，改善现有萧特基障壁二极管具有较大漏电流的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 接面能障萧特基 整流器 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅接面能障萧特基整流器，其特征在于，包含有：一具有n型重掺杂的碳化硅基板，所述碳化硅基板包含一第一表面以及一相对的第二表面；一设置于所述第一表面并且有一n型掺杂的漂移层，所述漂移层具有一远离所述第一表面的第三表面；一设置于所述漂移层内并接触所述第三表面的p型掺杂区域；多个设置于所述漂移层内且由所述p型掺杂区域环绕而接触所述第三表面的接面场效应区域，所述接面场效应区域各包含N个圆区域以及(N‑1)个连接于两所述圆区域之间的连接区域，N为一大于等于2的自然数；一设置于所述第三表面的第一金属层，所述第一金属层与所述接面场效应区域之间形成一萧特基能障；以及一设置于所述第二表面的第二金属层，所述第二金属层与所述碳化硅基板之间形成一奥姆接触。
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