[发明专利]用金属离子可控制备硫化铟超薄二维纳米材料的方法及该材料的用途

摘要

本发明涉及一种超薄二维半导体纳米材料的制备方法，在该方法中运用金属离子控制超薄二维硫化铟纳米材料的形貌，通过加入不同的金属离子可以合成得到薄膜状或带状二维硫化铟纳米材料。根据本发明的制备方法简单、新颖、可控性强。本发明还涉及所述超薄二维半导体纳米材料在清洁能源与环境可持续发展中的应用。

主权项

一种硫化铟超薄二维半导体纳米材料的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：1)在室温下，将20‑100毫克四水合硝酸铟、5毫升的辛胺、10毫升环己烷加入到不锈钢反应釜的聚四氟乙烯内衬里，搅拌10分钟；2)再将5‑80毫克硫代乙酰胺、1‑50毫克硫粉和1‑30毫克金属离子的盐加入到上述反应釜内衬里，搅拌5分钟；3)将装有上述溶液的聚四氟内衬装入反应釜套内，拧紧釜盖，放入100‑200度的电热鼓风干燥箱中，并保持加热1‑5小时；4)取出反应釜，自然冷却到室温状态；5)打开反应釜盖，将反应釜中的悬浊液分装在多支10ml离心管内，离心分离，去掉上清液，保留底部固体；固体用无水乙醇与氯仿交叉洗涤多次、离心，所得固体在50度真空干燥箱中进行干燥5小时，得到黄色的固体粉末产品。